Работа опубликована в журнале Физика и техника полупроводников, т. 33,
в. 3, с. 332-335 (1999).
Фотопроводимость аморфного гидрированного кремния, легированного методом
ионной имплантации
А.Г. Казанский, С.М. Петрушко,
Н.В. Рыжкова
Исследовано влияние концентрации примесей (фосфора и бора) на фотопроводимость
пленок аморфного гидрированного кремния, гидрированного и легированного
методом ионной имплантации. Проведено сопоставление с данными для пленок,
легированных из газовой фазы. Обнаружено существенное отличие зависимостей
фотопроводимости от уровня легирования для фосфора и бора. Фотопроводимость
имплантированных фосфором пленок возрастает с уровнем легирования и на
порядок величины меньше фотопроводимости пленок, легированных фосфором из
газовой фазы. В то же время фотопроводимость пленок, имплантированных
бором, слабо зависит от уровня легирования и практически совпадает с
фотопроводимостью пленок, легированных бором из газовой фазы. Полученные
результаты объясняются в рамках модели рекомбинации, учитывающей различие
в перезарядке состояний дефектов в пленках n- и p-типа.
Аморфные и микрокристаллические
полупроводники