Работа опубликована в журнале Физика и техника полупроводников, т. 35, в. 8, с. 991-994 (2001).

Влияние температуры на фотопроводимость и кинетику ее спада в микрокристаллическом кремнии

А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш

Исследовано влияние температуры на стационарную фотопроводимость и релаксацию фотопроводимости после прекращения освещения в пленках слабо легированного бором микрокристаллического гидрированного кремния. Измерения проводились в области температур 150-430 K при облучении пленок квантами света с энергией 1.4 эВ. Из измерений стационарной фотопроводимости и ее релаксации получены температурные зависимости времени фотоответа и дрейфовой подвижности носителей в микрокристаллическом кремнии. Рассмотрены возможные механизмы переноса и рекомбинации носителей, определяющие изменение с температурой указанных параметров.


Аморфные и микрокристаллические полупроводники