Научные направления лаборатории «Физика полупроводников»

В этой лаборатории ведутся теоретические и экспериментальные исследования неравновесных электронных процессов в тонкопленочных структурах, изучение транспортных свойств наноструктур, а также особенностей их взаимодействия с лазерным излучением; разработка ярких светодиодов и новых типов солнечных элементов; исследования в области физики поверхностных явлений.

В лаборатории изучаются нелинейно-оптические свойства полупроводниковых квантово-размерных структур (нанопластины, квантовые точки) различными методами лазерной спектроскопии,  а также теоретически исследуются неравновесные нестационарные процессы в структурах сверхмалых размеров при наличии межчастичного взаимодействия, в том числе кулоновских корреляций и электрон-фононного взаимодействия.

В лаборатории изучаются физические явления в полупроводниковых материалах и квантово-размерных структурах на микроскопическом уровне с использованием нового современного метода XAFS-спектроскопии. 

Работа производится по теме «Исследования фотоэлектрических параметров двусторонних кремниевых солнечных элементов с наноструктуированными пленками прозрачных проводящих оксидов в качестве просветляющих покрытий при их освещении монохроматичными инфракрасными источниками света». (Совместно с отделом микроэлектроники НИИЯФ МГУ).

Проводимые  в лаборатории исследования направлены на поиск новых, ранее не известных физических явлений в полупроводниках и сегнетоэлектриках, в частности, в квазидвумерных структурах, созданных из этих материалов.

В лаборатории производится разработка и оптимизация характеристик источников газоразрядной плазмы для технологических и биомедицинских исследований, а также разрабатываются методики плазменной модификации широкого класса технических поверхностей и воздействия на метаболизм микроорганизмов с целью изменения их функционирования или запуска процесса апоптоза заданных клеток.

Диэлектрическая спектроскопия служит одним из методов получения информации об особенностях механизмов переноса носителей заряда и о локальной структуре материала. Получение указанной информации связано с исследованием частотных зависимостей функций линейного отклика среды: комплексной диэлектрической восприимчивости, комплексной проницаемости и комплексной проводимости. Основное внимание уделяется развитию теории электронного энергетического спектра и построению теории квантового прыжкового переноса в неупорядоченных полупроводниках.