Приходя на кафедру полупроводников, студенты выполняют следующие задачи в спецпрактикуме кафедры (комн. 2-83):
- Определение электронных параметров полупроводника из температурных зависимостей коэффициента Холла и удельного сопротивления.
- Определение электронных параметров антимонида индия из температурных зависимостей коэффициента Холла и удельного сопротивления.
- Определение энергии ионизации второго акцепторного уровня золота и концентраций основной и компенсирующей примесей в германии.
- Определение характеристик полупроводниковых материалов из температурных зависимостей коэффициента термо-э.д.с. и электропроводности.
- Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей в полупроводниках.
- Определение времени жизни и дрейфовой подвижности неравновесных носителей заряда в полупроводнике.
- Электрические свойства p-n-переходов.
- P-n-переходы в вырожденных полупроводниках и характеристики туннельных диодов.
- Излучательная рекомбинация в p-n-переходах и характеристики светодиодов.
- Интегральные и спектральные характеристики кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии.
- ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
- ___________________
- Исследование характеристик одноатомных структур в широком диапазоне температур (3-300К)
- Изучение принципов работы сверхпроводящего квантового магнитометра (СКВИДа)
Специальный практикум
5