Курс по выбору, 34 часа, форма отчетности: зачет

Лектор: Сапков И.В.

Программа курса "Введение в нанолитографию"

• Литография. История и современность. Закон Мура. Предистория литографии. От транзистора до микросхемы. Место литографии в производстве. Закон Мура. Закон Мура и литография. Технологический процесс и реальные размеры.

• Стандартный фотолитографический процесс. Подложки. Этапы стандартного литографического процесса. Изготовление кремниевых подложек. Кремний-на-изоляторе (КНИ).

• Оптическая литография. Фотомаска. Литографы. Источники. Фотомаска. Три основных похода в литографии. Разрешение. Источники: лампы и лазеры.

• Фоторезисты. Классификация фоторезистов. Типы фоторезистов. Состав фоторезистов. Основные характеристики фоторезистов: (свето-) (фото-) чувствительность; контрастность; разрешение; технологичность использования. Диазохиноновые фоторезисты (ДХН). Методы повышения разрешения с помощью фоторезистов.

• Технологические приёмы улучшения разрешения. Многослоевая технология. Однослоевая маска. Двуслойная маска. Трёхслойная маска. Метод теневого напыления. Обратная взрывная литография. Литография на диэлектрических подложках. Методы уплотнения числа элементов. Двойные процессы. Самосовмещенное двойное паттернирование (SADP) и самосовмещенное четырехкратное паттернирование (SAQP).

• Оптическая литография. Методы повышения разрешения. Внеосевое освещение. Фазосдвигающие маски. Иммерсионная литография. Техпроцесс.

• Фотолитография-в-экстремальном-ультрафиолете. Мотивация к переходу на ЭУФ. Оптика. Маска. Источник. Резист. Перспективы развития методики.

• Нанопечатная литография. Исторический обзор. Почему наноимпринт? ТНИЛ и УФ-НИЛ. J-FIL. Софт-литография.

• Электронно-лучевая литография. Мотивация и область применения. Размер луча. Лабораторный вариант литографии - схематичное устройство растрового сканирующего микроскопа. Эволюция формы луча для ускорения процесса литографии. Эффект близости. Выбор ускоряющего напряжения. От однолучевой литографиик мульти-лучевой.